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      電子水處理器劑之冷卻水中的縫隙腐蝕

      標簽:電子,水處理,處理,處理器,冷卻,冷卻水,水中,中的 發布時間:2023年10月19日 點擊52

          縫隙腐蝕發生的機理
          傳統的理論認為,縫隙腐蝕的發生是縫內外氣濃差引起的局部宏觀腐蝕電池,繼而形成縫內酸化和自催化推動力。在縫隙腐蝕形成的初期,包括縫內和縫外整個金屬外觀都遭受腐蝕。所有過水金屬外觀的水溶液中,消融氧的濃度是很接近的,氧在所有的金屬外觀去極化腐蝕的體現情勢是微觀腐蝕電池。經過肯定時間以后,縫內的氧氣為陰極還原而消費殆盡,縫外的氧氣傳質。
          同時,縫外悉數過水金屬外觀氧還原的陰極反應仍以原來的速度進行。很顯明,氧濃差電池的形成是引起縫隙腐蝕的緣故原由,但并不直接引起腐蝕、舉動的根本轉變,由于縫外金屬的暴露面積比縫內大得多,氧本原的總量幾乎不變,所以縫內外金厲腐蝕速度應該相差不大,也就是說縫內陽極過程應該仍按原來差不多的速度進行。但是隨著腐蝕過程的進行武漢網站制作,縫內蘊蓄了許多的金屬離子,它們向縫外擴散因縫口窄所以也很困難。如許縫內過多的金屬離子必然產生過多的正電荷,因而引起兩個作用:一方面使陽極反應極化,在肯定時間內和肯定程度上會降低陽極反應的速度,克制陽離子產生的速度;另一方面形成下場部較強的電場。為了保持縫內電荷平衡,遷移性強的陰離子在電場的作用下源源賡續地進入縫內。

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